InGaAs APD

InGaAs APDInGaAs Avalanched Photodiode

全磊晶結構(as grown SACGM epi structure) InGaAs PIN，以取代傳統Zn diffusion n/i/n 結構。透過結構設計，直接成長field control layers,跟傳統多次Zn diffusion 來製作Junction及guard ring相比，可以提高製程穩定性，降低製程複雜性及製造成本、提高生產良率，繼而降低成本。